近日，第31届半导体年度奖（Semiconductor of the Year 2025）颁奖典礼在日本东京举行，山东天岳先进科技股份有限公司凭借其在碳化硅衬底材料技术上取得的突破，获得“半导体电子材料”类金奖。据介绍，这是中国企业自该奖项设立31年以来的首次问鼎，标志着中国在半导体关键基础材料领域实现了历史性重大突破。
半导体年度奖由日本半导体产业专业媒体《电子器件产业新闻》（创刊于1991年）主办，旨在从全球范围内表彰在设备、器件及材料三大领域的杰出技术创新，其奖项以严苛的评选标准和行业权威性著称。历届获奖企业组成全球半导体产业的“黄金榜单”，包括东芝、住友电工、昭和电工等日本产业巨擘，以及英伟达、索尼、美光等国际产业巨头。
碳化硅作为第三代半导体的基石，其衬底材料的品质与制备技术直接决定了整个产业链的性能、成本和下游应用的普及度，是支撑新能源汽车、特高压输电、5G/6G通信、数据中心等战略新兴产业发展的根本所在。长期以来，高品质、大尺寸碳化硅衬底的制备技术壁垒极高，是国际竞争的焦点。面对挑战，天岳先进长期深耕衬底材料研发，通过不懈的技术攻坚与产业化推进，在材料晶体生长、缺陷控制、加工工艺等核心环节取得一系列突破性进展，不仅攻克了大尺寸化等世界级难题，更在材料性能上达到了国际领先水平。
近年来，山东省建立完善“链长制”推进机制，将集成电路确定为标志性产业链之一，集聚政策合力、资源要素，全力实施“强芯”工程，初步实现涵盖设计、制造、封测、配套等环节的全产业链发展能力，2024年，全省集成电路产量同比增长31.6%，高于全国9.4个百分点。在显示芯片、光电芯片、FPGA芯片以及大尺寸硅片、电子特气、光刻胶等领域涌现了一批拳头产品，形成了12英寸晶圆制造能力，多家企业承担工信部等国家部委重大攻关任务，以第三代半导体为代表的产业特色优势加快塑强。
（大众新闻记者 付玉婷）
